日美芯片摩擦启示录，美国故技重施，中国芯片如何突围？

15年的时间，出口增加11倍。日本电子产业出口收支从1970年开始飙升，一直到1985年达到顶峰，1970-1985的15年间，电子产业的产值增加了5倍，内需增加了3倍，出口则增加了额11倍之多，可以说日本电子制造业在1970年后完全靠出口实现了腾飞。

1970年-1985年电子行业出口大幅增长的同时日元的汇率在不断升值，日元兑美元的汇率从期初的360升值到期末的234，说明日本电子行业的出口并不是因为日元汇率贬值所带动，相反，日本电子制造业公司需要不断降低成本以抵消日元升值带来的下游国外客户采购成本上升。

▲日本电子产业贸易收支与日元汇率

产业结构转变，大力扶持半导体。上世纪七十年代至80年代中期，日本产业结构巨变。原油进口量以及钢铁产量自1973年开始降低，而此时日本对硅的需求量逐渐加大。以钢铁代表的“重、大”型产业日渐衰落，半导体等“轻、薄、小”型产业飞速发展。上世纪70年代初微处理器的出现，引发了微型计算机的热潮，而半导体内存是计算机的主要部件，于是半导体产业由此得以发展。1970年到1985年之间日本内存行业得到了迅猛发展，在一段时期内全球市占率高达80%。回答日本内存行业为什么能获得如此成就一定程度上可以解释日本电子制造业能够腾飞的原因。

▲全球芯片区域消耗量变迁（1980-1988）（$ millions）

▲日本硅、原油、粗钢需求量

▲DRAM产品全球市占率

举国体制加创新型模仿造就日本DRAM的辉煌。1970年初，尽管日本可以生产DRAM芯片，但没有掌握关键的制程和设备。因此，1976年在大藏省等多个部门的协商下，日本开始实行“DRAM制法革新”国家项目。由政府出资320亿，富士通、NEC等公司出资400亿，总共筹资720亿日元，目标是在短期内提高DRAM的制作水准。国家性科研机构——“VLSI技术研究所”因此设立，该所是由日本电子综合研究所和计算机综合研究所主导创办的。VLSI技术研究所汇集了800多名技术精英以研制日本产高性能DRAM制程设备，想要短期内实现64K DRAM和256K DRAM可实用性，并在10到20年之间实现1M DRAM的可实用性。

▲MITI（日本通产省）和NTT（日本电话电信）的VLSI项目对比

在产业化方面，日本政府为半导体企业，提供了高达16亿美元的巨额资金，包括税赋减免、低息贷款等资金扶持政策，帮助日本企业打造DRAM集成电路产业群。到1978年，日本富士通公司研制成功了64K DRAM大规模集成电路。

创新型模仿，日本DRAM成功的又一关键。英特尔当初凭借4KB DRAM抢占了超过80%的市场份额，日本公司纷纷效仿，导致英特尔的市占率急转直下。后来英特尔研发了16KB DRAM（三电源供电）和64KB DRAM（三电源供电），然而由于跟风者不断追进，英特尔很难持续垄断市场。于是英特尔在1979年推出杀手锏产品：单电源供电的16KB DRAM，日本公司根本无从下手，所以该款DRAM产品在发售时获得100%市占率，然而，竞争对手纷纷模仿英特尔开发单电源DRAM产品，最终英特尔的市占率跌到10%左右，最后英特尔决定退出DRAM行业。英特尔的退出造就了日本1985年取得全球80%的巅峰市占率。

▲英特尔DRAM产品市占率

3、对日本电子制造业取得成功的一点思考

纵观日本电子制造业在1950-1985年这35年间取得的成就，我们认为有几点值得当前中国电子制造业思考与学习。

起步低不代表长不大。日本电子制造业从1950年开始发展，在此之前从没有哪一项电子技术是从日本起步，朝鲜战争爆发后日本的收音机出口开始迅猛增长，但是让索尼引以为傲的晶体管收音机的核心晶体管技术也是索尼从美国购买，1959年德州仪器制作了世界上第一块集成电路，在美国企业一直认为晶体管已经成为过去，集成电路才是未来的背景下日本自主研发了第一台晶体管计算机NEAC-2201并参加巴黎万国博览会，但与美国同行差距仍然甚大。

日本的电子制造业正是从收音机开始做起，最后在半导体技术方面跻身全球一流。我们一直对当前中国电子制造业所从事的低端生产存有偏见，认为中国电子制造业就是以富士康为代表的产品组装，中国电子制造业的精密制造就是生产以线束连接器为代表的低端产品，但日本例子告诉我们起步低但依然可以通过后续追赶而在全球市场拥有一席之地，中国智能机行业近年来的发展也证实这一可能。

模仿可以短期内获得最大的进步。日本DRAM行业发展壮大的历程告诉我们通过模仿龙头产品，可以短期之内获得与龙头同台竞技的资格。此外，韩国DRAM也是靠模仿日本而壮大，相信中国电子制造业在创新型模仿的战略下并结合自身实际，可以迅速赶上龙头国家。

举国体制是发展高精尖制造业的有效方式。1976年日本的“DRAM”制法革新项目下的“VLSI技术研究所”共耗资720亿日元，其中政府出资320亿，企业界筹集400亿日元，最后日本得以先于美国研发64k集成电路、256k动态储存器，完成对美国技术的赶超，奠定了日本在DRAM市场的霸主地位。包括韩国在内也采用举国体制发展半导体，1983年韩国公布“半导体工业振兴计划”，韩国政府共投入了3.46亿美元的贷款，并激发了20亿美元的私人投资，促进了韩国半导体产业的发展。当前中国也开启了扶持半导体大基金计划，已经开启了第二期的投资，日本和韩国的例子告诉我们对于落后者而言，举国体制是发展高精尖制造业的有效方式，中国的半导体大基金计划对半导体的发展有实实在在的推动作用。

▲日本半导体的举国体制之路

三、贸易摩擦后的日本电子制造业：开始分化

（编辑：应用网_阳江站长网）

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