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兵进光刻机,中国芯片血勇突围战

发布时间:2020-02-03 21:47:27 所属栏目:动态 来源:IT之家
导读:来源:IT之家作者:汐元 中学课本上有一篇文章叫《核舟记》,讲述了古人在核桃上刻出苏轼泛舟赤壁图的奇巧技艺。 几百年后,半导体产业已经将这种细微处创造天地的技艺发展到超乎想象的境地。 本文要说的,就是让半导体真正能够妙至颠毫的工具,也是人类工

这家公司的崛起之路其实也颇为曲折,日后有时间汐元可以详细为大家讲一讲。

兵进光刻机,中国芯片血勇突围战

简单来说,其实早期的光刻机制造并不复杂,最早是日本的尼康和佳能进入这个领域,但后来让美国的Perkin Elmer和GCA公司捷足先登。

不过尼康和佳能也不是吃素的,在上世纪80年代,逐步击败前面两家美国公司。

那个时候,还没有ASML什么事,他们在1984年成立,当时只是飞利浦的一个小部门。

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不过他们很给力,第二年就和蔡司合作改进光学系统,1986年就推出了自家很棒的第二代产品PAS-2500。

兵进光刻机,中国芯片血勇突围战

到了八十年代末,GCA衰亡,Perkin Elmer卖身给美国另一家巨头光刻机SVG。但后来,SVG发展也不行了,在2000年被ASML收购,ASML在这次收购中获得了关键的反射技术。

90年代末21世纪初,行业需要超越193nm的解决方案,这实际上是ASML和尼康的决战。ASML在2002年接受台积电提出的浸入式193nm的技术方案,光源也就是DUV深紫外光。

而尼康作了一回死,它和英特尔合作一起研发了一个非常超前的技术,结果失败了。

于是ASML从此逐渐超越尼康,成为光刻机领域的霸主。后来英特尔离开了尼康,转身投向ASML阵营。

至于EUV光刻机,其实最早是英特尔牵头搞的,还联合很多公司以及实验室成立了一个专门研究EUV的组织,其中就包括ASML。

后来这个组织解散了,就剩ASML还笃定要做EUV。

2012年,英特尔、三星和台积电分别以41亿、5.03亿、8.38亿欧元入股ASML,因为要打造EUV光刻机,耗资巨大。

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当然,英特尔、三星和台积电也没吃亏,后来事实证明,他们不仅享有EUV光刻机的优先供货权,并且由于ASML股价暴涨,在后来出售或减持ASML股份时,这三巨头都获利颇丰。

从这简短的发展历程能看出,之所以只有ASML能造出EUV光刻机,汐元总结,有三个原因:

一是几十年技术积淀,足够耐心。

这个积淀有两个途径,一个是自身研发投入,另一个是并购,例如前面说的,收购SVG获得了关键的反射技术,还有收购美国光学技术供应商Cymer得到了光源技术,收购蔡司半导体公司24.9%的股权,并与之共同研发最顶尖的光学技术。

二是赌对了技术方向,能制造7nm工艺的芯片技术不止一种,但EUV是比较可行的;

第三点,也是最重要的,不缺钱,不缺资源。

ASML有一项独特的规定,就是要想获得光刻机的优先供货权,必须入股自己,这样就等于将半导体巨头们绑定成利益共同体,无论是资金还是技术资源,都有保证。

其实,ASML光刻机设备90%的零部件都依赖外购,正是因为和众多技术供应商形成利益共同体的关系,ASML才能整合最顶尖的资源来办大事。

八,国产光刻机,走在曲折但奋进的路上

ASML虽然伟大,但毕竟是别人家的。

本文开头对当前局势的分析,相信IT之家小伙伴们也很清楚,对于中国来说,只有自己掌握了核心科技,才能不被外界掣肘。

所以最后一节,我们回到文章开头所说情势,聊一聊国产光刻机目前的发展现状。

中国对光刻机的研究起步并不晚,大概在上世纪70年代,早期的型号主要是接触式光刻机。所谓接触式光刻机,也就是光罩贴在晶圆上的。中科院1445所在1977年研制出了一台接触式光刻机,比美国晚了二十年左右。

兵进光刻机,中国芯片血勇突围战

1985年,机电部45所研制出了第一台分步投影式光刻机,而美国在1978年研制出这种光刻机,当时使用的是436nm G线光源

90年代的时候,国内光刻机在技术上和国外其实相差还不远,大概相当于国外80年代中期的水平。

不过要知道,光刻机这种东西,工艺(即采用光源的波长)每向前进一个台阶,制造的难度、需要的资金,都是指数级增长的,越往后越难搞。

2000年开始,我国开始启动研究193nm ArF光刻机的项目。正如前文所说,那个时候ASML已经正在研究EUV光刻机了。

2002年,光刻机被列入国家863重大科技攻关计划,由科技部和上海市共同推动成立上海微电子装备有限公司来承担。

兵进光刻机,中国芯片血勇突围战

上海微电子基本上也代表了目前国产光刻机的最高水平。经过十多年的发展,目前其自主研发的600系列光刻机可以实现90nm制程工艺芯片的量产,使用的还是193nm ArF光源。

兵进光刻机,中国芯片血勇突围战

很明显,从制程工艺的角度上看,国产光刻机目前和ASML差距非常大。不过,国际上其他国家也基本没有量产157nm及以下光刻机的,从这个角度看,国产光刻机和除ASML之外的国际水准也并未落后多少。

目前上海微电子还在研究为65nm制程芯片服务的光刻机,什么时候能够做出来,还不好说。

还有的,就是一些实验室取得的成果,以及一些媒体误读。

例如2019年4月,武汉光电国家研究中心的甘棕松团队成功研发出9nm工艺光刻机,这个就还是实验室里取得的成果,使用的也不是ASML的那一套方案。

再例如2018年11月,中国科学院光电技术研究所"超分辨光刻装备研制"项目通过验收,实现了22nm的分辨率,引起媒体一阵沸腾。

但其实,这个设备基本上可以说并不是用来制造芯片的,距离制造芯片也非常遥远。

所以这里也说明一下,光刻机不仅是用来制造芯片的,也可以用来制造一些光学领域的其他器件等。

总之,目前国产光刻机能实现的制程水平还卡在90nm,和ASML差距明显,高端光刻机还是要靠进口。

九、结语:半导体行业没有捷径

世界局势风云变幻,现实不断催促我们必须尽快在半导体技术领域有所突破。

但是,在这个产业里,其实也没有什么捷径或者弯道超车的路可走,只有一个制程节点一个制程节点地去攻破,积淀技术。想要追赶国际领先的水平,只有付出更多的精力,投入更多的资源。

(编辑:应用网_阳江站长网)

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