中芯国际创始人：美国对中国制约的能力没那么强
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美国如果公平竞争赢不了，它就会采取行政的方式，1980年代对日本做了一次，2018年开始，又开始对5G进行制约，但是这次它的对手不再是日本。美国对中国制约的能力没有那么强，但是我们不能掉以轻心。 “如果中国在5G技术上保持领先，将来在通讯、人工智能、云端服务等等，中国都会大大超前，因为中国在高科技应用领域是很强的。”
“美国如果公平竞争赢不了，它就会采取行政的方式，1980年代对日本做了一次，2018年开始，又开始对5G进行制约，但是这次它的对手不再是日本。美国对中国制约的能力没有那么强，但是我们不能掉以轻心。” “第三代半导体有一个特点，它不是摩尔定律，是后摩尔定律，它的线宽都不是很小的，设备也不是特别的贵，但是它的材料不容易做，设计上要有优势。” “第三代半导体，IDM开始现在是主流，但是Foundry照样有机会，但是需要设计公司找到一个可以长期合作的Foundry。” “有的地方我们中国是很强的，比如说封装、测试这一块很强。至于设备上面，光刻机什么，我们是差距很大的。如果我们专门看三代半导体的材料、生产制造、设计等等。我们在材料上面的差距，我个人觉得不是很大了。” “要考虑短时间之内人才基础，这是我们一个弱点，基础可能做了，但是基础跟应用之间有一个gap，怎么去把它缩短？欧美公司做得比较好一点，我们就借用他们的长处来学习。” “个人觉得第三阶段，如果只是有了材料，有了外延片，来做这个器件，如果我们用一个6寸来做，投资就看你要做多大，大概最少20亿多，到了六七十亿规模都可以赚钱的。这是做第三段。 如果第二段要做Epi（外延片）投资也不大，相对应的 Epi厂投资，大概只要不到10亿就起来了。” 以上，是原中芯国际创始人兼CEO、上海新昇总经理，现芯恩(青岛)创始人兼董事长张汝京，今天在中信建投证券和金沙江资本举办的万得3C会议线上直播中，分享的最新精彩观点。 “中国第三代半导体发展机遇交流峰会”由【中信建投证券研究所】和【金沙江资本】共同主办。在主办方精心筹备之下，邀请到了半导体领域专家和投资大咖参会，中芯国际创始人张汝京博士受邀出席并担任发言嘉宾，与会的嘉宾还有金沙江资本创始人及董事局主席伍伸俊、资产管理公司TPG（德太投资）中国区管理合伙人孙强、丝路规划研究中心副主席，瑞信集团董事会成员&丝路金融有限公司首席执行官李山。 此次会议为半导体发展机遇交流系列会议第一期，【中信建投证券研究所】和【金沙江资本】后续还将针对半导体领域举办更多线上和线下活动。欢迎关注！ 张汝京平时很少公开发声，关于张汝京和刚在科创板上市的中芯国际的故事，可点此查看。中芯国际今日申购，传奇创始人张汝京三进三出缔造中国硬实力，能成为中国的德州仪器吗|聪明投资者 在这次难得的分享中，他介绍了第一到第三代半导体，问答环节中，张汝京结合当下中美之间的背景，分享了对半导体国产替代的看法、第三代半导体可能的发展模式，以及在半导体细分的各个产业里，中国与国外的差距及优势。 聪明投资者整理了张汝京的演讲和问答精彩内容，分享给大家。 第一到第三代半导体 我跟大家讨论一下第一到第三代半导体的科普。 第一代的半导体材料，最早用的是锗（germanium），后来再从锗变成了硅（silicon），因为硅的产量多，技术开发的也很好，所以基本上已经完全取代了锗。 但是到了40纳米以下，锗的应用又出现了，锗硅通道可以让电子流速度很快。 所以第一代的半导体材料中，硅是最常用的。现在用的锗硅在特殊的通道材料里会用到，将来会涉及到碳的应用，这都是后话。 这些材料在元素周期表里都是4价的，IV A组的碳、硅、锗、锡、铅，都属于第一代。 第二代是使用复合物的，the compound semiconductor material（复合半导体材料）。我们常用的是砷化镓（gallium arsenide）或者磷化铟（indium phosphide）这一类材料，这些可以用在功放领域，早期它速度比较快。 但是因为砷（arsenide）含剧毒，所以现在很多地方都禁止使用，所以砷化镓的应用还是局限在高速的功放功率领域。 而磷化铟则可以用来做发光器件，比如说LED里面都可以用到。 到了第三代，更好的化合物材料出现了，包括碳化硅（silicon carbon）、氮化镓、氮化铝等等，这些都是3、5族的元素化和形成的。 碳化硅在高电压、大功率等领域有着特别的优势；氮化镓的转换频率（switching frequency）可以很高，所以常被用在高频功放器件领域；氮化铝用于特殊领域，民用会涉及得比较少。 另外还有一些半导体是比较特别的，不知道该归入第几代，时间上它们是贯穿第二、第三代。 主要集中在2、6族的元素，是由周期表中排在II B和VI A的元素化合形成的，比如锑化镉（CdTe）、锑化汞（HgTe）或是碲镉汞（HgCdTe）等等。 这些材料的用途非常的特别，工艺也比较复杂，基本上民间很少用到它，但它们也还属于半导体的范畴。 以上就是关于三代半导体材料的简要介绍，一会儿讨论的时候，我们可以尽量讨论一些细节。 对话部分 美国对中国制约的能力没有那么强 碳化硅生产的三个阶段都可能遇到瓶颈 问：从2018年中兴，包括2019年华为被美国纳入实体名单以来，半导体产业最热的两个概念就是国产替代和弯道超车。两年来，整个中国半导体产业面临着美国的各个层面的封锁，请问你如何看待中国半导体产业的所谓国产替代和弯道超车？ 张汝京：我常常不太了解为什么要弯道超车，直道就不能超车吗？ 其实随时都可以超车，弯道超车不是捷径，反而是耗时费力的方法，这是我的看法。 目前，美国对中国的高科技产业有很多限制，但这不是从现在才开始的。 早在2000年之前，就已经出现所谓巴黎统筹委员会（简称“巴统”，于1994年解散），也是一个国际间的技术封锁。 最近出现的就是《瓦森纳协定》，都是对某一些国家实行高科技技术、材料和设备等的禁运。 2000年，我们回到大陆建Foundry厂的时候，这些限制都还存在，但小布什政府对于中国还是比较支持的，他任期内逐渐开放了一些限制。 我们当时在中芯国际从0.18微米级别的技术、设备和产品要引入中国大陆，都要去申请许可。 0.18微米、0.13微米我们都去美国申请了，而且得到美国政府4个部门的会签，包括美国国务院、商务部、国防部和能源部。 能源部比较特殊，它是怕我们做原子弹之类的武器，但我们不做，所以能源部通常都会很快的去通过。 所以这个限制是一直存在的，但是2000年以后逐渐的减少了，我们就从0.18微米一直到90纳米、65纳米，45纳米都能申请获批。 而且45纳米的技术还是从IBM转让来的，这在当时是相当先进的。此后，我们又申请到了32纳米——这个制程可以延伸到28纳米。 之后我本人就离开了中芯国际，后面可能就没有继续申请28纳米以下的技术，但也可能不需要了。 总之，对于设备的限制等等，各个美国总统会定出不同的策略，特朗普对中国定的策略是最严苛的。 早期美国商务部是很支持我们的，国防部会有很多意见，但是经过4个部委讨论通过以后也都通过了。 但这次最大的阻力却来自美国商务部，这主要是因为美国在5G技术上落后了，所以它就希望中国在5G领域的发展脚步放慢，这种限制也有过先例。 1980年代的时候，我们在美国生产存储器，当时日本存储器技术在技术、设计和良率都比美国先进很多，于是美国就开始限制日本，后来还逼日本签下《广场协定》。 结果大家也看到，日本根本抵挡不了美国的压力，存储器行业几乎消亡，只有一两家还能苟延残喘。 在逻辑方面，日本本来就没有特别的优势，至今也不算领先，这方面中国大陆可能都比日本强。 但是日本领先的是模拟（analog）和数模混合，在汽车、高铁这些领域的元器件日本做的是不错的。 当时，受到美国的影响，日本各方面都受到了很大制约，发展速度就放缓了。 但日本也并没有停下脚步，而是潜心钻研材料和设备，所以它在这几方面还是十分领先。 譬如说现在全世界大概51%的300毫米大硅片，都产自日本信越和松口这两家公司。 日本在光刻胶、特殊的化学品和材料等领域都是领先的。 设备方面，日本的光刻机也是很领先，其他的基础设备也都能自主生产，比如扩散炉、LPC单片机等。 但总的来说，美国对日本技术限制之后，日本的设备，尤其是存储器领域，还是受到很大打击。 然而，这次美国发现中国对其造成很大的竞争压力时，美国的行政负责人，就开始要打击和制约以5G通讯为主的中国技术。 如果中国在5G技术上保持领先，将来在通讯、人工智能、云端服务等等，中国都会大大超前，因为中国在高科技应用领域是很强的。 最近闹得沸沸扬扬的抖音，它比美国的Facebook要好得多，同样是社交网站，抖音有很多有趣的功能，一下子就在美国受到很多年轻人的喜欢。 当然也可以看到Facebook的负责人说话很酸，说中国如何如何不好，这都是出于嫉妒的心理。 美国如果公平竞争赢不了，它就会采取行政的方式。 1980年代对日本做了一次，2018年开始，又开始对5G进行制约，但是这次它的对手不再是日本。美国对中国制约的能力没有那么强，但是我们不能掉以轻心。 5G领域常常会用到第三代半导体材料，比如说5G的高频芯片用的材料是氮化镓。 这种材料的频率非常高，也可以耐高压高温。又比如无人驾驶汽车、或大功率的充电桩都会用到碳化硅，这些材料美国都会对中国采取禁运措施。 今天武总跟我提到，第三代半导体材料的应用会以碳化硅为重点，我就说多跟大家讨论一下碳化硅。 这是一个非常好的材料，但它生产的三个阶段都是可能遇到瓶颈的地方： 一是材料，碳化硅的单晶，早期2到4寸用了很久，现在是6到8寸也出来了，当然用到最多的还是4寸和6寸，原料本身就是很重要的资源； 第二阶段是生产外延片，这也涉及到特别的技术，对最终元器件成品的质量至关重要； 第三阶段就是去生产各种功率的半导体，这些半导体的用途就很广泛了。 其中使用最多的是新能源汽车和动车里的高功率器件，电压超过3000伏，最好用碳化硅来做。但这个材料制造的环节，中国的技术相对比较弱。 第三代半导体的发展规律？ IDM模式现在是主流 问：怎么看待第三代半导体，它会以什么样的规律去发展？第三代半导体未来的发展模式会是以IDM为主，还是说也是Design House（第三方设计）加Foundry（代工）这种模式占主导。 张汝京：半导体这个行业要长期投入，从业人员也要耐得住寂寞，经验是逐渐累积起来的，和网络电商这些不一样。 那些东西可以很短的时间有一个好的想法，就可以一下起来，投资人也愿意把钱投到那边去。 但是第三代半导体有一个特点，它不是摩尔定律，是后摩尔定律，它的线宽都不是很小的，设备也不是特别的贵，但是它的材料不容易做，设计上要有优势。 （编辑：应用网_阳江站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
