iPhone12 MagSafe磁吸无线充电器IC级分析报告
TPS61178的典型应用如上图所示,MagSafe磁吸无线充电器实际使用时电感采用3.3μH的电感,输出采用了3颗22μF的电容并联,取值也与TPS61178典型取值一致。 USB Type-C控制器采用的赛普拉斯的CYPD2104,赛普拉斯目前已被英飞凌收购。CYPD2014内部集成了32位的ARM Cortex-M0处理器,支持一个Type-C端口,符合PD标准。采用BGA封装,体积极小。 赛普拉斯 CYPD2104 XRAY图 CYPD2104 在线缆上的典型应用图 CYPD2104 DECAP图 在升压线头上面,除过上面两个主控IC外,另外还有两颗IC,丝印分别为1324V和2P,这两颗IC的外观及解剖图分别如下: ![]() 丝印1324V的芯片和丝印2P的芯片外观 ![]() 1324V XRAY 图 ![]() 1324V DECAP图 ![]() 1324V DECAP图 1324V从其DECAP的图片来看,其有大面积铜框架左侧部分很大可能是两颗MOS,右侧则是芯片电路部分,MOS管用于输入过压过流保护功能,保护接口和后级元件不被损坏。 ![]() 2P XRAY图 丝印为2P的IC则采用相对传统的DFN封装形式,从其XRAY图片可以看到明显的打线。 ![]() 2P DECAP 图 ![]() DECAP图片放大 通过DECAP图片看出这颗IC来自安森美,NCP715,低功耗宽输入LDO。XDFN6封装,结合丝印信息判断是一颗3.3V稳压。 ![]() 线圈发射部分由两部分电路组成,分别是连接认证控制部分和无线充电线圈发射部分,从充电头网之前的解剖图片中可以看出,两部分分别被屏蔽罩盖着。无线充电线圈外侧是NFC线圈。线圈发射部分的控制采用的ST意法半导体的芯片,ST官网在无线充方向应用的发射芯片为STWBC-MC,而本次解剖的型号为STWPSPA1,应该属于ST为Apple定制IC。 ![]() 该IC直接采用晶圆级封装(WL-CSP Wafer level Chip Scale Package),这种封装的器件成品大小与芯片尺寸相同,与传统封装形式相比,该封装最大程度的降低了封装导致的体积增加,该封装形式的优势与FC-BGA的优势类似;不同的是FC-BGA是关于管脚焊接的工艺角度来说,WL-CSP则是从芯片本身的角度来考虑,本次的线圈主控IC STWPSPA1则同时用到了FC-BGA和WL-CSP两种技术,从而使得芯片封装的体积最小化,Magsafe磁吸式无线充使用该种封装的器件从而使得体积优势最大化。 ![]() STWPSPA1 XRAY图 ![]() STWPSPA1 DECAP图 通过DECAP图可以看出,STWPSPA1芯片右侧内置两颗MOS管,与芯片外置的两颗组成H桥驱动无线充电线圈。 发射端的认证芯片同样采用ST的芯片,为STM32F446MEY6,用于连接认证以及无线充电器其他保护控制功能。 ![]() STM32F446MEY6是ST的带DSP和FPU的高性能基础系列ARM Cortex-M4 MCU,其封装也采用的WL-CSP封装,用于减小封装体积。STM32F446MEY6同样的采用了FC-BGA和WL-CSP两种封装技术,不同的是其芯片表面涂上了一层黑色的涂层,用于保护芯片。 ![]() STM32F446MEY6 XRAY图 ![]() STM32F446MEY6 DECAP图 ![]() 为STM32F446MEY6供电的是一颗MPS的降压芯片,同步整流,采用DFN-8封装。 ![]() MPS降压芯片X RAY图 ![]() 发射线圈旁边还有两颗MOS管,这两颗MOS管为DFN3*3的封装,丝印为06 OBU。 ![]() 06 OBU XRAY图 ![]() 06 OBU DECAP图 ![]() 06 OBU DECAP图 这两颗MOS则采用了传统的框架打线工艺,从图片中可以清晰的看到其框架、晶圆、打线等结构。 (编辑:应用网_阳江站长网) 【声明】本站内容均来自网络,其相关言论仅代表作者个人观点,不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利,请及时与联系站长删除相关内容! |