过于关注3D NAND闪存层数可能是一种误导

谈到尖端闪存技术的推进，Choe 认为尖端闪存总是首先进入移动和嵌入式产品，例如 5G 手机是当下的主要驱动力。他还指出，2D 平面闪存仍然有一些应用市场，通常将其视为低延迟 SLC 用作 3D XPiont 的存储类内存（SCM）的替代品，如 Optane 或美光最近发布的 X100，尽管 X100 在消费市场并不常见。

目前，100 层以上的 3D 闪存产品，目前已经发布了 SK 海力士 128L Gold P31 和三星 128L 980 PRO，美光最近也基于 176L flash 发布了 Phison E18 的硬盘原型。另外，西部数据和铠侠的 BiCS5 和英特尔的 144 层产品将在明年发布。

更好的控制器需要更高密度的闪存，未来几年闪存将向更快和更大容量的方向发展。

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（编辑：应用网_阳江站长网）

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