5G通信中的电磁干扰问题，再次成为了普及“拦路虎”？

吸收体结构在设计上主要依托 S 屏（Salisbury Screen）理论。对于吸收结构的小型化而言，可以将超表面和吸收体结构相结合，使得吸收体的尺寸进一步缩小。基于超表面的吸收体结构具有辐射抑制性能高、尺寸小、成本低廉以及加工工艺成熟等诸多优点，在电磁领域应用广泛。

针对 5G 通信芯片系统中的电磁干扰问题，课题团队提出基于互补开口环谐振器和交指电容的新型 EBG 结构以及基于超表面的吸收体结构，分别如图 3 和图 4 所示。它们的厚度可以做到小于 1 毫米，在 10 千兆赫处的吸收性能均可达到 5 分贝以上，这为其在芯片系统中的应用提供了可能。

课题团队提出基于 SC-FSS 理论概念设计的全角、全极化不敏感高性能天线罩，以及基于互补开口谐振环和交指电容的新型 EBG 结构、基于超表面的吸收体结构，为解决 5G 通信天线系统和芯片系统中的电磁兼容问题开辟了新道路，相关成果获得学术界与工程界的高度认可，在众多 5G 通信企业实现了产业化，产生了巨大的经济效益。

对于天线系统中多种通信标准协议的兼并，课题团队下一步将进行多频带全角、全极化不敏感的高性能天线罩探索研究。与此同时，当前反射型天线罩屏蔽方案存在对天线系统进行二次辐射干扰的可能，因此超低通带插入损耗的吸收型天线罩将是高性能天线罩的发展新方向。另外，随着集成电路特征尺寸不断缩小并进入纳米尺度，传统的摩尔定律受到严峻挑战，在此情况下，先进的封装形式和集成技术作为延续乃至超越摩尔定律的重要技术路线必然是未来研究的重中之重。未来，课题团队将继续聚焦通信技术发展的前沿课题，针对电磁辐射防护与电磁兼容方面的关键技术开展攻关，提出满足实际应用的电磁辐射抑制解决方案，最终彻底解决 5G 以及未来新一代通信系统中的电磁干扰难题。

（编辑：应用网_阳江站长网）

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