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被挤下芯片王座的英特尔,能否涅槃重生?

发布时间:2020-08-27 12:34:57 所属栏目:评论 来源:站长网
导读:这对于一家伟大的芯片设计、制造和销售公司来说无疑是巨大的失败。最近,英特尔发布的一项新技术震惊业界,此举大有虎贲龙镶、飞燕还巢之势,也让我们看到了英特尔重登“王座”的希望。 这家拥有世界级影响的“蓝色巨兽”,在跨越了一个世纪之久的发展历程

英特尔多年以来一直采用IDM模式,IDM是指集芯片设计、芯片制造、芯片封装、测试到销售的一条龙式产业链模式。目前,世界上采用这种模式的企业主要有:英特尔、三星、德州仪器(TI)。其中,在规模上,英特尔位居榜首,主宰行业至今。

被挤下芯片王座的英特尔,能否涅槃重生?

一旦英特尔采用外包模式,那么就意味英特尔苦心经营多年的的IDM模式将付之一炬。

涅槃之缘,英特尔重构版FINFET

英特尔在2020年架构日活动上,正式公布了全新的SuperFin晶体管技术、“混合结合”封装技术,进一步展示了英特尔半导体工艺上的持续创新。

作为摩尔定律的提出者和践行者,英特尔一直以来在晶体管技术上不断变革创新,比如90nm时代的应变硅、45nm时代的高K金属栅极、22nm时代的FinFET立体晶体管。

即便是饱受争议的14nm工艺,Intel也在一直不断改进,通过各种技术的加入,如今的加强版14nm在性能上相比第一代已经提升了超过20%,堪比完全的节点转换。

被挤下芯片王座的英特尔,能否涅槃重生?

SuperFin在技术层面相当复杂的,主要技术特性有:

增强源极和漏极上晶体结构的外延长度,从而增加应变并减小电阻,以允许更多电流通过通道。改进栅极工艺,以实现更高的通道迁移率,从而使电荷载流子更快地移动。提供额外的栅极间距选项,可为需要最高性能的芯片功能提供更高的驱动电流。使用新型薄壁阻隔将过孔电阻降低了30%,从而提升了互连性能表现。与行业标准相比,在同等的占位面积内电容增加了5倍,从而减少了电压下降,显著提高了产品性能。

结语

笔者认为,关于此次英特尔重构FinFET工艺,或许是与英特尔和中科院的侵权案有关,英特尔对于FINFET工艺的重构,或是为绕开中科院的专利技术,从而继续将工艺制成向前推进。但笔者在看到SuperFin的工艺提升后,不得不惊叹,英特尔正充分利用其独特的优势,提供标量、矢量、矩阵和空间架构结合的解决方案,广泛部署于CPU、GPU、加速器和FPGA中。

此次英特尔新工艺带来的性能提升,可以一扫英特尔多日制程迭代不利消息的阴霾,我们也从中看到了7nm的曙光。但是尽管如此,专利侵权问题依旧要重视起来,以和谐共赢的形式共同发展,求得双赢。


(编辑:应用网_阳江站长网)

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