制造1nm芯片的EUV光刻机：ASML已完成设计

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据称在当前台积电、三星的7nm、5nm制造中已经引入了NA=0.33的EUV曝光设备，2nm之后需要更高分辨率的曝光设备，也就是NA=0.55。好在ASML已经完成了0.55NA曝光设备的基本设计（即NXE：5000系列），预计在2022年实现商业化。

至于上文提到的尺寸为何大幅增加就是光学器件增大所致，洁净室指标也达到天花板。

阿斯麦目前在售的两款极紫外光刻机分别是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C，3600D计划明年年中出货，生产效率将提升18%。

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（编辑：应用网_阳江站长网）

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