国产长鑫内存进步神速：19nm DDR4芯片产能翻番、17nm年底量产

合肥长鑫去年9月份正式量产国产10nm级（10nm~19nm）DDR4内存芯片（8Gb），据业内最新消息，长鑫的这款19nm晶圆芯片的产能将在本季度末从2万片/月提高到4万片/月。

不仅如此，长鑫的17nm工艺芯片如期推进，年底前将大规模量产。

长鑫目前拥有一座12英寸晶圆厂，总产能12万片/月。

值得一提的是，本周，长鑫与Rambus（中文名蓝铂世）达成协议，获得了后者的DRAM技术授权。更早些时候，长鑫通过与WiLAN全资子公司Polaris Innovations达成协议，获得了奇梦达一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据。

据悉，长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动，总投资1500亿元，专业从事DRAM内存的研发、生产和销售。

（编辑：应用网_阳江站长网）

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