日本研发出6G芯片:单载波速度高达100Gbps
发布时间:2019-12-31 17:29:47 所属栏目:模式 来源:IT之家
导读:5G还未普及,很多国家就已经开始投入6G的技术研究,日本NTT集团旗下NTT设备技术实验室Hideyuki NOSAKA、Hiroshi HAMADA等专家近期撰文介绍了所研发的面向6G太赫兹无线通信的超高速芯片技术。 据报道,NTT研发了磷化铟(InP)化合物半导体制造的6G超高速芯
5G还未普及,很多国家就已经开始投入6G的技术研究,日本NTT集团旗下NTT设备技术实验室Hideyuki NOSAKA、Hiroshi HAMADA等专家近期撰文介绍了所研发的面向6G太赫兹无线通信的超高速芯片技术。 据报道,NTT研发了磷化铟(InP)化合物半导体制造的6G超高速芯片,并在300GHz频段进行了高速无线传输实验,结果显示,当采用ASK调制时的速率为20Gbps;当采用16QAM调制时可达到6G的峰值速率100Gbps。 另外,在100Gbps无线传输速度表现中,仅以单一载波完成,意味未来持续增加载波聚合数量的话,将能实现更高传输速度,借此让6G网络传输速度与可使用频宽可达5G网络的40倍以上。 据悉,NTT Docomo等大型电信运营商将从明年春天开始提供5G服务,但是预计其服务区域最初将主要覆盖大城市。 (编辑:应用网_阳江站长网) 【声明】本站内容均来自网络,其相关言论仅代表作者个人观点,不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利,请及时与联系站长删除相关内容! |